对比图
型号 SI9435BDY SI9435BDY-T1-GE3 SI9435BDY-T1-E3
描述 VISHAY SI9435BDY 晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 VVISHAY SI9435BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3WVISHAY SI9435BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 42 mΩ 0.033 Ω 0.07 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) - -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) - -4.10 A -5.70 A
上升时间 - - 14 ns
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
长度 - - 5 mm
高度 - - 1.55 mm
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - - EAR99