ULN2002AN和ULN2004AN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2002AN ULN2004AN ULN2001A

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2002AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIPSTMICROELECTRONICS  ULN2001A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 7 7 -

输出电压 50 V 50 V 50 V

输出电流 0.5 A 0.5 A 500 mA

通道数 7 7 7

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 7 7 -

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

输出电流(Max) 500 mA 500 mA -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ -40 ℃

输入电压 - 30 V 30 V

电源电压 6V ~ 15V - -

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

直流电流增益(hFE) - - 1000

长度 19.3 mm 19.3 mm 19.69 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm 7.11 mm

高度 4.57 mm 4.57 mm 4.95 mm

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

工作温度 -20℃ ~ 70℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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