对比图
型号 IRF3205ZPBF IRFB3306PBF STP80NF55L-06
描述 INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 170 W 230 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0042 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 230 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 60 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) 110A 160A 80.0 A
上升时间 95 ns 76 ns 180 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 4520pF @50V(Vds) 4850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 230 W 300 W
下降时间 67 ns 77 ns 80 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170000 mW 230W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 3450 pF - -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
长度 10.54 mm 10.66 mm 10.4 mm
宽度 4.69 mm 4.82 mm 4.6 mm
高度 8.77 mm 9.02 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC