JANTXV1N5554和JANTXV1N5554US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N5554 JANTXV1N5554US JAN1N5554

描述 Diode Switching 1kV 5A 2Pin Case EDiode Gen Purp 1kV 3A b-MelfDiode Switching 1kV 5A 2Pin Case G-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 B, Axial B-SQ-MELF-2 G-4

反向恢复时间 2 µs 2 µs 2000 ns

正向电流(Max) 5 A 5 A 5 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压 1.3V @9A 1.3V @9A -

正向电流 5000 mA 5000 mA -

正向电压(Max) 1.3V @9A - -

封装 B, Axial B-SQ-MELF-2 G-4

长度 - 4.95 mm -

宽度 - 2.16 mm -

高度 - 2.16 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司