71V67602S150BGG8和IDT71V67602S150BG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67602S150BGG8 IDT71V67602S150BG8 71V67602S150BGG

描述 IC SRAM 9Mbit 150MHz 119BGAIC SRAM 9Mbit 150MHz 119BGA静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-119 BGA-119 PBGA-119

引脚数 119 - 119

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 - - 3.8 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 BGA-119 BGA-119 PBGA-119

长度 14.0 mm - 14 mm

宽度 22.0 mm - 22 mm

厚度 2.15 mm - 2.15 mm

高度 - - 2.15 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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