MMBT4401和SMMBT4401LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4401 SMMBT4401LT1G MMBT4401LT1G

描述 ON Semiconductor MMBT4401 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 3引脚 SOT-23封装NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT4401LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

针脚数 3 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 0.35 W 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V 20

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 40 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 600 mA

额定功率 - - 300 mW

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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