BAS116LT3和BAS116LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS116LT3 BAS116LT3G BAS116

描述 Rectifier Diode, 1 Element, 75V V(RRM)开关二极管 Switching DiodeRectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 TVS二极管

基础参数对比

封装 - SOT-23-3 SOT-23

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

无卤素状态 - Halogen Free -

正向电压 - 1.25V @150mA -

耗散功率 - 300 mW -

热阻 - 417℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 - 3 µs -

正向电流 - 0.2 A -

正向电压(Max) - 1.25V @150mA -

正向电流(Max) - 0.2 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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