P6SMB11C和P6SMBJ11C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6SMB11C P6SMBJ11C P6SMB11CAHE3/52

描述 DIODE TVS 11V 600W 10% BI SMD硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage SuppressorsDiode TVS Single Bi-Dir 9.4V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) Littelfuse (力特) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA-2 DO-214AA-2

击穿电压 11 V 12.155 V 11.6 V

耗散功率 600 W - 5 W

钳位电压 16.2 V 16.38 V 15.6 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 9.95 V 9.95 V 10.5 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃

工作电压 9.4 V 9.4 V -

额定电压(DC) - 11.0 V -

额定功率 - 600 W -

宽度 - 3.94 mm 3.94 mm

封装 DO-214AA DO-214AA-2 DO-214AA-2

长度 - 5.59 mm -

高度 - 2.44 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape, Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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