对比图
型号 IRS2609DSPBF IRS2609DSTRPBF
描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)门驱动器 Hlf Brdg Drvr 600V .250A Sngl Inpt
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器负载控制器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 150ns, 50ns 150ns, 50ns
输出接口数 1 1
输出电流 - 200 mA
耗散功率 625 mW 625 mW
上升时间 - 220 ns
下降时间 - 80 ns
下降时间(Max) 80 ns 80 ns
上升时间(Max) 220 ns 220 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V
电源电压(DC) 10.0V (min) -
输出电压 620 V -
电源电压(Max) 20 V -
电源电压(Min) 10 V -
长度 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -