对比图
型号 IXGH30N60B4 IXXH30N60B3 IXXH30N60B3D1
描述 IGBT 600V 66A 190W TO247IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 - 270000 mW 270000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - - 25 ns
额定功率(Max) 190 W 270 W 270 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 270000 mW 270000 mW
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99