199D226X0016DXV1E3和199D226X9016DXV1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D226X0016DXV1E3 199D226X9016DXV1E3 199D226X0025DXV1E3

描述 Cap Tant Solid 22uF 16V 20% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ BulkCAP TANT 22uF 16V 10% RADIALCap Tant Solid 22uF 25V 20% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Radial - -

电容 22 µF 22.0 µF 22.0 µF

容差 ±20 % ±10 % ±20 %

额定电压 16 V 16 V 25 V

封装 Radial - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台