对比图
型号 IXFN48N50U3 IXFN55N50 IXFN48N50U2
描述 SOT-227B N-CH 500V 48AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis Chassis
引脚数 - 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
耗散功率 520 W 600 W 520W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 60 ns 60 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 625 W 520 W
下降时间 30 ns 45 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 625W (Tc) 520W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 100 mΩ 0.08 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 48A 55.0 A -
额定功率 - 600 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4.5 V -
隔离电压 - 2.50 kV -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 38.2 mm - -
宽度 25.07 mm - -
高度 9.6 mm - -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - 46.0 g -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -