FDS2582和FDS2582_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS2582 FDS2582_NL SI4848DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS2582  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 150 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 VSOIC N-CH 150V 4.1A晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.057 Ω - 0.068 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 1.5 W

阈值电压 4 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 4.10 A 4.1A 2.70 A

上升时间 19 ns - 10 ns

额定功率(Max) 2.5 W - 1.5 W

下降时间 26 ns - 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 4.10 A - -

通道数 1 - -

输入电容 1.29 nF - -

栅电荷 19.0 nC - -

漏源击穿电压 150 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

输入电容(Ciss) 1290pF @25V(Vds) - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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