SQ4470EY-T1-GE3和SQ4431EY-T1_GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQ4470EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1_GE3 SQ4431EY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 60V 16A 8SOICMOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOICMOSFET Transistor, P Channel, -10.8A, -30V, 0.02Ω, -10V, -1.5V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SO-8 SOIC

漏源极电阻 0.01 Ω - 0.02 Ω

极性 N-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 7.1 W 6 W 6 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V -

上升时间 - 12 ns -

输入电容(Ciss) - 1265pF @15V(Vds) -

下降时间 - 15 ns -

耗散功率(Max) - 6W (Tc) -

阈值电压 3 V - -

封装 SOIC SO-8 SOIC

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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