对比图
型号 K4H641638N-LCB30 W9464G6JH-5I V58C2256164SIUI6
描述 DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, TSOP2-66IC SDRAM 64Mbit 200MHz 66TSOPDDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66
数据手册 ---
制造商 Samsung (三星) Winbond Electronics (华邦电子股份) ProMOS (茂德)
分类 存储芯片
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 66 - -
封装 TSSOP TSSOP-66 TSSOP
长度 22.22 mm - -
宽度 10.16 mm - -
封装 TSSOP TSSOP-66 TSSOP
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 -
电源电压 - 2.3V ~ 2.7V -
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -