AM2729-125和PH2729-130M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AM2729-125 PH2729-130M PH2729-110M

描述 射频与微波晶体管S波段雷达应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS雷达脉冲功率晶体管, 130W , 100us的脉冲, 10 %占空比2.7 - 2.9 GHz的 Radar Pulsed Power Transistor, 130W, 100us Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHzTRANSISTOR,BJT,NPN,65V V(BR)CEO,15A I(C),FO-91VAR

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com TE Connectivity (泰科)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Chassis -

封装 - - -

击穿电压(集电极-发射极) 55 V 63 V -

增益 - 9.73dB ~ 8.85dB -

额定功率(Max) - 130 W -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 16A - -

封装 - - -

工作温度 - 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

香港进出口证 - NLR -

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