IRF6618和IRF6618TRPBF

对比图

型号 IRF6618 IRF6618TRPBF IRF6618TR1PBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 170AINFINEON  IRF6618TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 1.64 V 新Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7Pin Direct-FET MT T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-4

引脚数 7 7 -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 30.0 A

通道数 - 1 1

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2800 mW 89 W 89.0 W

产品系列 - - IRF6618

输入电容 - 5640 pF 5.64 nF

栅电荷 - - 65.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 170A 30A 23.0 A

上升时间 71 ns 71 ns 71.0 ns

输入电容(Ciss) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.8 W 2.8 W

下降时间 8.1 ns 8.1 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

额定功率 - 89 W -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0017 Ω -

阈值电压 - 1.64 V -

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-4

长度 - 5.45 mm -

宽度 - 5.05 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -