DS1258W-100#和DS1258W-150#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-100# DS1258W-150# DS1258Y

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 40Pin PDIPNon-Volatile SRAM Module, 128KX16, 150ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-40128K x 16 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 PDIP-40 PDIP-40 -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

封装 PDIP-40 PDIP-40 -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 无铅 -

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