DS1265Y-100+和DS1265Y-70

对比图

型号 DS1265Y-100+ DS1265Y-70 DS1265AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

引脚数 - 36 -

存取时间 100 ns 70.0 ns 70 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 70.0 GHz -

内存容量 - 8000000 B -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free