BS62LV256PCG55和BS62LV256PIP55

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS62LV256PCG55 BS62LV256PIP55 BS62LV256PCP55

描述 VeryLow Power CMOS SRAM 32K X 8BitSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V/5V 256Kbit 32K x 8 55ns 28Pin PDIPVeryLow Power CMOS SRAM 32K X 8Bit

数据手册 ---

制造商 BSI BSI BSI

分类

基础参数对比

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP DIP

时钟频率 - 10.0 MHz -

存取时间 - 55 ns -

内存容量 - 32000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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