FDW2502PZ和NTMD6P02R2SG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW2502PZ NTMD6P02R2SG FDW2502P

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET功率MOSFET 6 A, 20 V , PA ????频道SOICâ ???? 8 ,双 Power MOSFET 6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -7.80 A -4.40 A

通道数 - 2 -

漏源极电阻 - 33 mΩ 35.0 mΩ

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 1 W 2 W 1.00 W

输入电容 - 1.70 nF -

栅电荷 - 35.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

连续漏极电流(Ids) 4.4A 7.80 A 4.40 A

输入电容(Ciss) - 1700pF @16V(Vds) 1465pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 750 mW 600 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

上升时间 19 ns - -

下降时间 19 ns - -

长度 4.4 mm 5 mm -

宽度 3 mm 4 mm -

高度 1 mm 1.5 mm -

封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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