71V3558XS133BGGI和IDT71V3558S133BGI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V3558XS133BGGI IDT71V3558S133BGI8 IDT71V3558S133BGGI

描述 ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119IC SRAM 4.5Mbit 133MHz 119BGA128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的3.3VI / O ,突发计数器输出流水线 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 BGA BGA-119 BGA

安装方式 - Surface Mount -

封装 BGA BGA-119 BGA

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - 3A991 -

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