IS49NLC93200-33BI和MT49H32M9BM-33

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS49NLC93200-33BI MT49H32M9BM-33 MT49H32M9CFM-5

描述 动态随机存取存储器 288Mbit x9 Common I/O 300MHz Leaded ITDDR DRAM, 32MX9, 0.3ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, MICRO, BGA-144DDR DRAM, 32MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA144, MICRO, BGA-144

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TFBGA-144 BGA BGA

引脚数 - 144 -

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - -

额定电压(DC) - 1.80 V 1.80 V

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

位数 - 9 -

封装 TFBGA-144 BGA BGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

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