对比图
型号 IS43R83200D-6TL K4H560838D-TCB3 MT46V32M8TG-6T
描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.5V 66Pin TSOP-II256Mbit DDR SDRAM 166MHz 66-TSOP - K4H560838D-TCB3DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) Micron (镁光)
分类 RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 66 - 66
封装 TSOP-66 - TSOP
供电电流 280 mA - -
位数 8 - 8
存取时间 700 ps - -
存取时间(Max) 0.7 ns - 0.7 ns
工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V - -
电源电压(Max) 2.7 V - -
电源电压(Min) 2.3 V - -
工作电压 - - 2.50 V
封装 TSOP-66 - TSOP
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -
产品生命周期 Not Recommended - Unknown
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant
含铅标准 无铅 - -
ECCN代码 EAR99 - -