IXFH22N60P3和IXTV22N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH22N60P3 IXTV22N60P IXFV22N60P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.39 Ω - 350 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 500 W 400W (Tc) 400W (Tc)

阈值电压 5 V - 5.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A 22.0 A

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 22.0 A 22.0 A

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 62.0 nC 58.0 nC

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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