FZT653和PBHV8215Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT653 PBHV8215Z

描述 DIODES INC.  FZT653  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFENPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 SOT-223 SOT-223

针脚数 4 4

极性 NPN NPN

耗散功率 2 W 730 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 150 V

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) - 100

直流电流增益(hFE) 200 240

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.45 W

长度 - 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm

高度 - 1.8 mm

封装 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

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