IXGM20N60A和IXGM25N100A

对比图

型号 IXGM20N60A IXGM25N100A HGTM20N40C1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AETrans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin(2+Tab) TO-204AEInsulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Harris

分类

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-204 -

耗散功率 150000 mW 200000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 1000 V -

反向恢复时间 - 200 ns -

额定功率(Max) - 200 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 200000 mW -

封装 TO-3 TO-204 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active End of Life Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -