BFR181WE6327和BFR183W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR181WE6327 BFR183W NE85639R-T1

描述 NPN Silicon RF TransistorNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin(3+Tab) SOT-143 T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) California Eastern Laboratories

分类 晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-143

引脚数 - 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - - 12 V

增益 - - 13.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @20mA, 10V

额定功率(Max) - - 200 mW

额定电压(DC) 4.00 V - -

额定电流 130 mA - -

极性 - NPN -

耗散功率 - 450 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-143

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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