对比图
型号 BFR181WE6327 BFR183W NE85639R-T1
描述 NPN Silicon RF TransistorNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) California Eastern Laboratories
分类 晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-323 SOT-323 SOT-143
引脚数 - 3 -
击穿电压(集电极-发射极) - - 12 V
增益 - - 13.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @20mA, 10V
额定功率(Max) - - 200 mW
额定电压(DC) 4.00 V - -
额定电流 130 mA - -
极性 - NPN -
耗散功率 - 450 mW -
直流电流增益(hFE) - 100 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
封装 SOT-323 SOT-323 SOT-143
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -