AUIRGP50B60PD1E和IRGP50B60PD1PBF的区别_AUIRGP50B60PD1E代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRGP50B60PD1E IRGP50B60PD1PBF GP50

描述 INFINEON AUIRGP50B60PD1E 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚INFINEON IRGP50B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定功率 - 390 W -

针脚数 3 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 390 W 390 W -

输入电容 - 3648 pF -

上升时间 - 10.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

热阻 - 40 ℃/W -

反向恢复时间 42 ns 42 ns -

额定功率(Max) 390 W 390 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 390 W 390000 mW -

长度 15.87 mm 15.9 mm -

宽度 5.31 mm 5.3 mm -

高度 20.7 mm 20.3 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -