MJE800G和MJE800STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE800G MJE800STU NTE253

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE800G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 100 hFE 新ON Semiconductor MJE800STU NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=60 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装NTE ELECTRONICS  NTE253  达林顿晶体管, NPN, 80V, TO-126

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 4.00 A - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 60 V - 80 V

输出电流 4 A - 4 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

集电极最大允许电流 4A - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V -

额定功率(Max) 40 W 40 W -

直流电流增益(hFE) 100 - 2000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40 W 40000 mW

输入电压 5 V - 5 V

输入电流 - - 100 mA

长度 7.8 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 11 mm -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951

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