THS4215DG4和THS4215DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4215DG4 THS4215DR THS4215DGN

描述 Super-Fast, Ultra-Low-Distortion, High-Speed Operational Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40℃ to 85℃低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 PowerPad-MSOP-8

供电电流 - 19 mA 19 mA

电路数 - 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 - 1020 mW 1710 mW

共模抑制比 54 dB 52 dB 50 dB

输入补偿漂移 - 40.0 µV/K 40.0 µV/K

带宽 - 350 MHz 350 MHz

转换速率 - 970 V/μs 970 V/μs

增益频宽积 - 300 MHz 350 MHz

输入补偿电压 - 3 mV 3 mV

输入偏置电流 - 7 µA 7 µA

可用通道 - S S

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 - 325 MHz 325 MHz

共模抑制比(Min) - 50 dB 50 dB

电源电压(Max) 15 V 15 V 15 V

电源电压(Min) 5 V 5 V 5 V

增益带宽 - - 350 MHz

耗散功率(Max) - - 1710 mW

长度 - 4.9 mm 3 mm

宽度 - 3.91 mm 3 mm

高度 - 1.58 mm 1.02 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 PowerPad-MSOP-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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