SIHP7N60E-GE3和SPP08N50C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIHP7N60E-GE3 SPP08N50C3XKSA1 SPP07N60C3XKSA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPP07N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 560 V 650 V

额定电流 - 7.60 A 7.30 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.5 Ω 0.5 Ω 0.54 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 78 W 83 W 83 W

阈值电压 2 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7.60 A 7.30 A

上升时间 13 ns 5.00 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 680pF @100V(Vds) 750pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 78000 mW 83W (Tc) 83W (Tc)

额定功率(Max) - - 83 W

下降时间 14 ns - 7 ns

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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