ICTE12HE3_A/C和ICTE12-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE12HE3_A/C ICTE12-E3/54 1N6376-E3/51

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,12V 10% AEC-Q101 QualifiedESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V UnidirectDiode TVS Single Uni-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 14.1 V 14.1 V 14.1 V

工作电压 12 V 12 V -

击穿电压 14.1 V 14.1 V -

钳位电压 16.5 V 16.5 V -

测试电流 - 1 mA -

最大反向击穿电压 - 14.1 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

耗散功率 6.5 W - -

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

长度 - 9.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台