CY14V104LA-BA45XI和CY14V104LA-BA45XIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14V104LA-BA45XI CY14V104LA-BA45XIT

描述 4兆位( 512K的X 256分之8的K× 16 )的nvSRAM 25 ns到45 ns的访问时间 4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times4兆位( 512K的X 256分之8的K× 16 )的nvSRAM 25 ns到45 ns的访问时间 4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48

存取时间(Max) 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 52 mA -

封装 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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