IRFBF20S和IRFBF20SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBF20S IRFBF20SPBF

描述 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAKMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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