IXTA2N80和IXTP2N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA2N80 IXTP2N80P IXTY2N80P

描述 TO-263AA N-CH 800V 2ATrans MOSFET N-CH 800V 2A 3Pin(3+Tab) TO-220DPAK N-CH 800V 2A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 54W (Tc) 70 W 70 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 2A - 2A

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 54W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 6 Ω

漏源击穿电压 - - 800 V

上升时间 - 35 ns 35 ns

下降时间 - 28 ns 28 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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