IRG4RC10SDTRPBF和IRG4RC10SDTRRP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4RC10SDTRPBF IRG4RC10SDTRRP IRG4BC10SD-SPBF

描述 IGBT 晶体管 600V DC-1kHzTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RIGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 38 W - 38 W

耗散功率 38 W 38 W 38000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 28 ns 28 ns 28 ns

额定功率(Max) 38 W 38 W 38 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW 38 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 4.83 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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