对比图
型号 IXFK21N100Q IXFN24N100 IXFN21N100Q
描述 TO-264AA N-CH 1000V 21AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 VSOT-227B N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Screw Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-264-3 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - 1.00 kV -
额定电流 - 24.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.39 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 500W (Tc) 600 W 520 W
阈值电压 - 5.5 V -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V
漏源击穿电压 - 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 21A 24.0 A 21A
上升时间 18 ns 35 ns 18 ns
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 568 W 520 W
下降时间 12 ns 21 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 568000 mW 520W (Tc)
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 9.6 mm -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 - Silicon -
重量 - 40.0 g -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -