W25Q80EWSNIG和W25Q80EWSNIG TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q80EWSNIG W25Q80EWSNIG TR W25Q80BWSNIG

描述 NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 8M-bit 6ns 8Pin SOIC TubeIc Flash 8Mbit 80MHz 8soicNOR Flash Serial-SPI 1.8V 8M-bit 1M x 8 7.5ns 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - -

时钟频率 - 104 MHz -

电源电压 1.65V ~ 1.95V 1.65V ~ 1.95V 1.65V ~ 1.95V

存取时间(Max) 6 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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