对比图
型号 IRF1104 STB60NE03L-10T4 SUM70N03-09CP-E3
描述 TO-220AB N-CH 40V 100AD2PAK N-CH 30V 60ATrans MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin(2+Tab) TO-263
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-220 D2PAK TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 100A 60A -
上升时间 114 ns - -
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) - 2200pF @25V(Vds)
下降时间 19 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 170000 mW - 3.75W (Ta), 93W (Tc)
耗散功率 - - 3.75W (Ta), 93W (Tc)
封装 TO-220 D2PAK TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC