MMBD4148-TP和MMBD7000LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBD4148-TP MMBD7000LT1G BAS21LT1G

描述 Diode Switching 100V 0.15A 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT1G  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mAON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管二极管阵列小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 150 mA 200 mA 200 mA

电容 2.00 pF 1.50 pF 5.00 pF

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电流 ≤150 mA - ≤200 mA

负载电流 - 0.2 A 0.2 A

针脚数 - 3 3

正向电压 855mV @10mA 1.1 V 1.25 V

极性 Standard - Standard

耗散功率 350 mW 300 mW 385 mW

热阻 - - 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 4 ns 4 ns 50 ns

正向电流 150 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 mA 625 mA

正向电压(Max) 855mV @10mA 1.1 V 1.25 V

正向电流(Max) 0.15 A 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) 100 V 100 V -

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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