DCP56-13和BCP56-10@115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DCP56-13 BCP56-10@115 BCP56@115

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 80VBCP56-10@115BCP56@115

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 - -

频率 200 MHz - -

额定功率 1 W - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V - -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 TO-261-4 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台