对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Flange Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 - M-174 M-174
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 20.0 A
耗散功率 - 233000 mW 318 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 55 V
增益 - 14.0 dB 14 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 18 @1.4A, 6V
额定功率(Max) - - 318 W
工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 233000 mW 318000 mW
输出功率 - 150 W -
封装 - M-174 M-174
高度 - 7.11 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - - 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99