PIC18C252T-I/SO和PIC18C252-I/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18C252T-I/SO PIC18C252-I/SO PIC18C252-E/JW

描述 高性能微控制器,10位A / D High-Performance Microcontrollers with 10-Bit A/DPIC18 系列 1.5 kB RAM 16 K x 16位 EPROM 8位 微控制器 - SOIC-28高性能微控制器,10位A / D High-Performance Microcontrollers with 10-Bit A/D

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器

基础参数对比

封装 SOIC-28 SOIC-28 DIP

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 28 28 -

封装 SOIC-28 SOIC-28 DIP

长度 - 17.87 mm -

宽度 - 7.49 mm -

高度 - 2.31 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

频率 - 40 MHz -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 40.0MHz (max) 40 MHz -

RAM大小 1.5K x 8 1.5K x 8 -

位数 - 8 -

耗散功率 1000 mW 1000 mW -

I/O引脚数 23 23 -

存取时间 40.0 µs 40.0 µs -

内核架构 PIC PIC -

内核子架构 PIC18 PIC18 -

模数转换数(ADC) 1 1 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.2 V -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

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