BCW60D和BCW60DE6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW60D BCW60DE6327HTSA1 MMBT6429LT1G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORInfineon BCW60DE6327HTSA1 , NPN 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 125 MHz 250 MHz 700 MHz

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 200 mA

耗散功率 0.35 W 330 mW 225 mW

增益频宽积 125 MHz 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 380 @2mA, 5V 380 500

最大电流放大倍数(hFE) 630 630 -

额定功率(Max) 350 mW 330 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.2A

直流电流增益(hFE) - - 500

工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 330 mW 300 mW

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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