M27W801-100N6和M50FLW080ANB5TG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M27W801-100N6 M50FLW080ANB5TG SST49LF008C-33-4C-WHE

描述 EPROM OTP 8M-Bit 1M x 8 100ns 32Pin TSOP Tube8兆位( 13× 64K字节块+ 3 ×16× 4K字节扇区) , 3V供应固件集线器/低引脚数闪存 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO32, 8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142BA, TSOP1-32

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP1 TSOP-32 TSOP1

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSOP1 TSOP-32 TSOP1

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

存取时间 100 ns - -

内存容量 8000000 B - -

电源电压 2.7V ~ 3.6V - -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -20 ℃ -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -

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