对比图
型号 HAT2166H-EL-E PSMN1R3-30YL,115 PH6325L,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 30V 100ALFPAK N-CH 25V 78.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 4
封装 SOT-669 SOT-1023 SOT-669
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 25 W 121 W 62.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 45A 100A 78.7 A
上升时间 35 ns 108 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @10V(Vds) 6227pF @12V(Vds) 1871pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 121 W 62.5 W
下降时间 7.5 ns 52 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25W (Tc) 121W (Tc) 62.5W (Tc)
封装 SOT-669 SOT-1023 SOT-669
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free