对比图
型号 IXFN44N50 IXFN80N50Q3 STE70NM50
描述 N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备STMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 44.0 A - 70.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 120 mΩ 0.065 Ω 45 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 520 W 780 W 600 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 63A 30.0 A
上升时间 60 ns - 58 ns
输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W - 600 W
下降时间 30 ns - 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 780W (Tc) 600W (Tc)
额定功率 - - 600 W
针脚数 - - 4
阈值电压 - 6.5 V 4 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 38.23 mm 38.23 mm 38.2 mm
宽度 25.42 mm 25.07 mm 25.5 mm
高度 9.6 mm 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99