BC846BLT1G和BC846BMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BLT1G BC846BMTF BC 846B B5003

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC846BMTF  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 110 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

耗散功率 300 mW 310 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 310 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 100 MHz 300 MHz -

额定功率 300 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

增益频宽积 100 MHz - -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最大电流放大倍数(hFE) 450 800 -

直流电流增益(hFE) 200 200 -

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW -

长度 2.9 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.93 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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