BSO130P03S H和BSO130P03SNTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO130P03S H BSO130P03SNTMA1

描述 P沟道 30V 11.7ADSO P-CH 30V 9.2A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 P-DSO-8 P-DSO-8

极性 - P-CH

耗散功率 2.36 W 1.56W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 9.2A

输入电容(Ciss) 3520pF @25V(Vds) 3520pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)

通道数 1 -

漏源极电阻 13 mΩ -

漏源击穿电压 30 V -

上升时间 16 ns -

额定功率(Max) 1.56 W -

下降时间 62 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 P-DSO-8 P-DSO-8

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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